влевовправо
Модуль энергонезависимой памяти FRAM 256k бит/32k байт
- В наличии
- Оптом и в розницу
- Код: Biz2476795218
1 145 ₴
Показать оптовые цены+380 (67) 294-06-21
Kievstarвозврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Модуль энергонезависимой памяти FRAM 256k бит/32k байтВ наличии
1 145 ₴
Описание
Информация для заказа
Описание
FRAM (ферроэлектрическая оперативная память) — это современная энергонезависимая память, сочетающая в себе преимущества SRAM (очень высокая скорость чтения и записи) с надежностью Flash/EEPROM. Использование ферроэлектрического слоя вместо традиционного диэлектрика позволяет хранить данные без питания и записывать их практически мгновенно.
Этот модуль FRAM взаимодействует по шине I2C и идеально подходит для маломощных устройств, регистраторов данных, кэширования данных и приложений с нестабильным электропитанием. В отличие от EEPROM и Flash, память FRAM не требует обслуживания страниц и характеризуется чрезвычайно высоким числом циклов записи.
Характеристики
- Тип памяти: FRAM (ферроэлектрическая оперативная память)
- Емкость: 256 кбит (32 кБ)
- Интерфейс связи: I2C
- Максимальная скорость I2C: до 1 МГц
- Энергонезависимость данных: до 95 лет (при комнатной температуре)
- Длительность работы: до 10¹³ циклов записи на байт
- Напряжение питания и логическое напряжение: 3 В или 5 В (совместимо с 5 В).
- Нет ограничений на количество страниц памяти (побайтовая запись).
- Размеры: 15,5 × 20 × 2 мм
- Расстояние между монтажными отверстиями: 14 мм
- Вес: 1,2 г
- Форм-фактор: плата расширения, удобна для макетной платы.
Включено
- Модуль памяти FRAM I2C 256 кбит (32 кБ) на плате расширения
- 0,1-дюймовый позолоченный штырьковый разъем (штекер) для самопайки
- Цена: 1 145 ₴